联系我们 - 广告服务 - 联系电话:
您的当前位置:首页>数码 > 正文

闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND闪存有望超过200层

来源:快科技 时间:2021-06-10 08:54:19

自从闪存进入3D时代,堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高,从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模,现在韩国泽市的存储芯片工厂已经是全球最大的,三星计划建设第二座泽工厂。

在闪存技术上,三星的128层V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量产第7代V-NAND闪存,堆栈层数提升到176层。

在“盖楼”层数上,三星实际上已经落后于美光,后者在去年底就推出了176层3D闪存,并且量产了,三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8代V-NAND闪存,堆栈层数有望超过200层,不过三星没公布具体情况,预计要到明年下半年才有可能量产。

至于未来的层数还能堆多高,早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈,是当前3D堆栈的极限了,但三星的目标是希望超过1000层,这个就需要很多技术突破了。

最新新闻:

新闻放送

关于我们 | 联系我们 | 投稿合作 | 法律声明 | 广告投放
 

版权所有©2017-2020   三秦科技网
 

豫ICP备20023378号-14
 

营业执照公示信息
 

所载文章、数据仅供参考,使用前务请仔细阅读网站声明。本站不作任何非法律允许范围内服务!
 

联系我们:514 676 [email protected]
 

Top