要闻速递：国产存储崛起！曝长江存储将直接挑战232层NAND 年底量产

来源：中关村在线时间：2022-06-15 07:31:00

近日，据DigiTimes报道，传长江存储将跳过原定192层技术，直接挑战232层NAND，并于2022年底量产。

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存储器相关业者指出，如果这一消息属实，长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子、铠侠等的脚步，并于2023年将逐步拓展232层NAND产能比重，为全球NAND产业竞赛投下重磅炸弹。

据悉，长江存储已推出128层3D NAND闪存，此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品。

(资料图片仅供参考)