三星 16GB DDR5 DRAM 开发成功：采用 12nm 工艺、最高速率达 7.2Gbps 世界速读

来源：中关村在线时间：2022-12-23 20:28:53

【资料图】

2022 年 12 月 23 日消息，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用 12nm 工艺打造的 16GB DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款 DRAM 拥有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度。

能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。

据了解，随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。