比台积电快！三星已确保3nm良品率：下代骁龙稳

来源：雷科技时间：2021-10-10 10:18:22

据韩国媒体最新报道，三星电子已经确保3NM制程工艺有稳定的良品率，并计划于明年6月正式投入生产，为相关芯片提供代工。不久前，三星电子的一名高管在三星代工论坛中也透露了这一消息。

据了解，三星电子的3NM工艺，没有延续鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，转而采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术。三星电子表示，采用GAA技术代工的芯片，其性能比5NM FinFET要高出50%，能耗也会降低50%。

此前，FinFET结构为22NM节点带来了革命性提升，与普通的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”状所形成的通道更容易控制，这也是“鳍式场效应晶体管”名称的由来。然而，随着5NM和3NM面临的技术难点不断累积，FinFET结构逐渐被“掏空”，晶体管微缩的空间已经非常有限。

而GAA则对鳍式通道进行改良，用纳米薄片代替其中的鳍片，使晶体管拥有更强大的负载能力，而且也为后期的工艺进步打下基础。说不定，三星3NM GAA工艺代工的芯片，其功耗比会比现有的5NM FinFET有较大改善。

三星电子对3NM工艺寄予厚望，今年6月底就有成功流片的消息。采用GAA的3NM工艺，5NM FinFET发热大、耗电快、性能释放不稳定的问题可能将成为过去。高通骁龙888表现欠佳，有一部分原因也跟三星5NM工艺有关系。

台积电也没有“闲着”，该公司的CEO魏哲家透露，台积电的3NM工艺在今年下半年进行风险试产，预计明年也将投入生产。

值得一提的是，高通骁龙下一代旗舰SoC可能采用三星4NM LPE工艺。@MauriQHD的推特透露，三星的4NM LPE其实是5NM LPA工艺的改名版。也就是说，新一代的三星4NM工艺不一定会为高通新一代旗舰处理器带来较大的功耗提升。不过，该芯片最终会找哪家企业代工，目前还是未知数。

因为高通骁龙888的表现，不少消费者对“三星代工”似乎并不看好。相比之下，台积电代工的芯片更受网友的青睐，其中包括高通骁龙870。当然，小雷还是希望三星的3NM技术能够挽回5NM的口碑，带来兼顾性能和功耗的产品。